예를 들어,
사용 주위 온도 25℃로 반복할 경우 △d1=0.002mm가 됩니다.
55℃에서는 △d2=0.004mm, 25℃에서는 △d3=0.005mm입니다.

온도에 의한 검출 위치의 영향은 25℃로 55℃에서는 △d4=0.02mm의 검출 물체의 에지 위치의
흐트러짐, 25℃로 25℃에서는 △d5=0.04mm의 검출 물체의 에지 위치의 흐트러짐이 생깁니다.



[ 해 설 ]
위의 표는 입광 시 on 타입(EE-SX87/88□)의 그래프입니다.
위 그림의 왼쪽에서 워크를→ 방향으로 서서히 삽입할 경우,
온도 25℃에서는 d=1.85mm 부근에서 OFF합니다.
그 OFF하는 지점의 격차(반복 정도)가 △d1=0.002mm입니다.
차광 시, ON타입(EE-SX77□)은 출력단트랜지스터의 ON, OFF가 바뀌는 것만으로 검출 위치가
입광 시 ON타입과 동일하게 됩니다.