경고

배선을 할 때는 반드시 전원을 끄십시오.
감전될 수 있습니다.

통전 중 SSR의 단자부(충전부)를 만지지 마십시오.
충전부와의 접촉은 감전의 원인이 됩니다.

안전상의 요점

1. MOS FET 릴레이의 입력회로·출력회로에 과전압, 과전류를 인가하지 마십시오.
   MOS FET 릴레이의 고장 및 발화의 원인이 됩니다.
2. 배선 및 납땜은 납땜 조건에 따라 올바르게 납땜하십시오.
   납땜이 불완전한 상태에서 사용되면 통전시의 이상 발열에 의해 소손의 원인이 됩니다.

사용상의 주의

●디레이팅 설계에 대해서

시스템의 요구 신뢰도를 달성하기 위해서, 디레이팅에 대한 배려는 필수 불가결한 것이 됩니다.
MOS FET 릴레이를 높은 신뢰도로 사용하기 위해 최대 정격·권장 동작 조건에 대해 디레이팅에 대한 배려를 할 뿐만 아니라, 가능하면 사용 환경 조건에 따라 실기 확인하에 충분히 여유도를 가지고 설계해 주십시오.

1. 최대 정격
   최대 정격은 순간적으로도 넘어서는 안되는 규격이며, 복수의 정격의 어느 것에 대해서도 넘을 수 없습니다.
   최대 정격을 초과하면 MOS FET 릴레이 내부의 열화나 칩의 파괴에 이르기도 합니다. 이 때문에 MOS FET 릴레이를 높은 신뢰도로 사용하기 위해 최대 정격의 전압·전류·온도에 대해서는 충분한 디레이팅을 도모해 설계해 주십시오.
2. 권장 동작 조건 권장
   동작 조건은 MOS FET 릴레이의 동작 및 복귀를 보장하기 위해 권장되는 조건입니다.
   MOS FET 릴레이를 높은 신뢰도로 사용하기 위해 권장 동작 조건을 고려하여 설계하십시오.
3. 페일 세이프 구현
   MOS FET 릴레이의 고장, 특성 열화, 기능 이상 등이 시스템의 안전 동작에 심각한 영향을 미칠 수 있는 경우에는 용도에 따라 페일 세이프 대책을 실시하는 것이 좋습니다.

●정전기 대책에 대해서

제품 취급시 등에 정전기가 각 단자에 방전되었을 경우, 내부 소자의 파괴나 기능 저하의 원인이 되는 경우가 있습니다.
정전기 발생을 가능한 한 억제함과 동시에 제품 주변에 전하가 축적되지 않도록 적절한 정전기 대책을 실시해 주십시오.

● 대표적인 MOS FET 릴레이의 구동 회로 예

MOS FET 릴레이는 입력측 LED에 전류를 흘려 구동합니다. 전압인가에 의해 구동시키는 경우에는 규정된 전류가 흐르도록 회로에 직렬로 저항을 넣는 것이 필요합니다.
이 저항을 LED 전류 제한 저항이라고합니다.

C-MOS의 경우

트랜지스터의 경우

• MOS FET 릴레이의 확실한 동작을 위해 다음 식으로 제한 저항 값을 구하고 설계하십시오.

※ I _F(ON) 의 값에 대해서는 각 형식마다 카탈로그 기재의 트리거 LED 순전류・권장 동작 조건 동작 LED 순전류를 참조한 후 여유를 가지고 높은 값을 설정해 주십시오.

• MOS FET 릴레이의 확실한 복귀를 위해 아래의 식으로 복귀 전압값을 구하여 그 값 이하의 전압이 되도록 제어를 부탁드립니다.

　　　V _F(OFF)＝V _CC－I _F(OFF) R ₁－V _OH

※ I _F(OFF) 의 값에 대해서는 각 형식마다 카탈로그 기재의 복귀 LED 순전류보다 여유를 가지고 낮은 값을 설정해 주십시오.

• 구동용 트랜지스터의 누설 전류가 크게 오작동의 원인이 될 수 있는 경우에는 블리더 저항을 추가해 주십시오.
• 덧붙여 전압 구동 타입품에 대해서는, 입력측에 전류 제한 저항을 내장하고 있어, 직접 입력측 단자에 규정된 전압을 인가하는 것으로, 구동시킬 수 있습니다.

● 입력측의 서지 전압에 대한 보호

입력단자에 역방향 서지전압이 가해지는 경우, 입력단자와 역병렬로 다이오드를 삽입하여 3V 이상의 역방향전압을 인가하지 마십시오.

입력측의 서지 전압 보호 회로 예

※ 전압 구동 타입품에 대해서는 입력측에 전류 제한 저항을 내장하고 있어 외부 저항은 불필요합니다.

●출력측의 과전압에 대한 보호회로

출력 단자 사이에 절대 최대 정격을 초과하는 과전압이 발생하는 유도 부하 등의 경우에는 보호 회로를 접속하여 과전압을 제한하십시오.

출력측의 과전압 보호 회로 예

●미사용 단자에 대해서

각 MOS EFT 릴레이의 미사용 단자는 내부 회로에 사용하고 있으므로 외부 회로를 접속하지 마십시오.

●자동 실장시의 손톱의 유지력에 대해서

자동 실장시의 손톱의 유지력은 MOS FET 릴레이의 특성을 유지하기 위해 아래의 압력 이하로 설정하십시오.

●부하 접속 방법에 대해

MOS FET 릴레이의 동작 중에 입출력 단자간을 단락시키면 고장의 원인이 되므로 단락시키지 마십시오.

올바른 연결 예

AC/DC 접속(A 접속)

DC 싱글 연결(B 연결)

DC 병렬 연결(C 연결)

● 추정 수명에 대해

각 MOS FET 릴레이와 사용하는 LED의 대응표에 대해서는 아래 표를 참조하십시오. 또한 추정 수명 데이터에 대해서는 아래를 참조하십시오.
대응표에 게재되어 있지 않은 형식은 개별적으로 문의해 주십시오.
이 결과는 단일 로트의 장기 데이터로부터의 추정이며, "참고 데이터"로서 취급해 주십시오.

GaAs LED 사용 MOS FET 릴레이 형식 대응표

InGaAs LED 사용 MOS FET 릴레이 형식 대응표

GaAlAs LED 사용 MOS FET 릴레이 형식 대응표

GaAs LED 추정 시간 변화 데이터

GaAs LED 예상 수명 데이터

상기 추정 수명 데이터는 LED 장기 평가(단일 로트)를 기초로 수명 추정한 참고 데이터입니다.
또, 품종에 의해 정격을 넘는 동작 조건도 포함되어 있습니다만, 정격 이외의 동작에 대해서는 보증하는 것은 아닙니다.

F50% 수명: 누적
고장 확률 50% 수명으로 추정 경시 변화 데이터에 있어서의 평균 변화율 AVG의 라인이 고장 판정 기준에 도달한 시간으로 한다.

F0.1% 수명: 누적
고장 확률 0.1% 수명으로 추정 경시 변화 데이터에 있어서의 AVG-3σ의 라인이 고장 판정 기준에 도달한 시간으로 한다.

추정 F50% 수명과 F0.1% 수명 중 어느 것을 사용하는지는 실제 기기에서 필요한 신뢰도에 따라 선정해 주시게 됩니다만, 통상은 추정 F0.1% 수명의 사용을 추천합니다.

「광출력 열화 ΔPo」란, 초기의 LED 광출력에 대한 저하율을 말하며, 「고장 판정 기준 광출력 열화 ΔPo＜－50%」의 경우에는, 초기의 광출력 특성에 대하여 50% 저하했을 때의 출력 특성을 고장이라고 판정한다는 것입니다.

광출력 열화 ΔPo<-50%와 ΔPo<-30% 중 어느 것을 사용하는지는 LED 순전류(I _F )의 설정을 트리거 LED 순전류(I _FT )에 대해 얼마나 여유를 가지는지에 따라 다르지만, 통상은 ΔPo<-30% 그래프 사용을 권장합니다.

InGaAs LED 추정 시간 경과 변화 데이터

InGaAs LED 예상 수명 데이터

상기 추정 수명 데이터는 LED 장기 평가(단일 로트)를 기초로 수명 추정한 참고 데이터입니다.
또, 품종에 의해 정격을 넘는 동작 조건도 포함되어 있습니다만, 정격 이외의 동작에 대해서는 보증하는 것은 아닙니다.

F50% 수명: 누적
고장 확률 50% 수명으로 추정 경시 변화 데이터에 있어서의 평균 변화율 AVG의 라인이 고장 판정 기준에 도달한 시간으로 한다.

F0.1% 수명: 누적
고장 확률 0.1% 수명으로 추정 경시 변화 데이터에 있어서의 AVG-3σ의 라인이 고장 판정 기준에 도달한 시간으로 한다.

추정 F50% 수명과 F0.1% 수명 중 어느 것을 사용하는지는 실제 기기에서 필요한 신뢰도에 따라 선정해 주시게 됩니다만, 통상은 추정 F0.1% 수명의 사용을 추천합니다.

「광출력 열화 ΔPo」란, 초기의 LED 광출력에 대한 저하율을 말하며, 「고장 판정 기준 광출력 열화 ΔPo＜－50%」의 경우에는, 초기의 광출력 특성에 대하여 50% 저하했을 때의 출력 특성을 고장이라고 판정한다는 것입니다.

광출력 열화 ΔPo<-50%와 ΔPo<-30% 중 어느 것을 사용하는지는 LED 순전류(I _F )의 설정을 트리거 LED 순전류(I _FT )에 대해 얼마나 여유를 가지는지에 따라 다르지만, 통상은 ΔPo<-30% 그래프 사용을 권장합니다.

GaAlAs LED 추정 시간 변화 데이터

GaAlAs LED 예상 수명 데이터

상기 추정 수명 데이터는 LED 장기 평가(단일 로트)를 기초로 수명 추정한 참고 데이터입니다.
또, 품종에 의해 정격을 넘는 동작 조건도 포함되어 있습니다만, 정격 이외의 동작에 대해서는 보증하는 것은 아닙니다.

F50% 수명: 누적
고장 확률 50% 수명으로 추정 경시 변화 데이터에 있어서의 평균 변화율 AVG의 라인이 고장 판정 기준에 도달한 시간으로 한다.

F0.1% 수명: 누적
고장 확률 0.1% 수명으로 추정 경시 변화 데이터에 있어서의 AVG-3σ의 라인이 고장 판정 기준에 도달한 시간으로 한다.

추정 F50% 수명과 F0.1% 수명 중 어느 것을 사용하는지는 실제 기기에서 필요한 신뢰도에 따라 선정해 주시게 됩니다만, 통상은 추정 F0.1% 수명의 사용을 추천합니다.

「광출력 열화 ΔPo」란, 초기의 LED 광출력에 대한 저하율을 말하며, 「고장 판정 기준 광출력 열화 ΔPo＜－50%」의 경우에는, 초기의 광출력 특성에 대하여 50% 저하했을 때의 출력 특성을 고장이라고 판정한다는 것입니다.

광출력 열화 ΔPo<-50%와 ΔPo<-30% 중 어느 것을 사용하는지는 LED 순전류(I _F )의 설정을 트리거 LED 순전류(I _FT )에 대해 얼마나 여유를 가지는지에 따라 다르지만, 통상은 ΔPo<-30% 그래프 사용을 권장합니다.

●플럭스 세정

1. 플럭스 세척은 나트륨, 염소 등 반응성 이온의 잔류가 없도록 세척한다.
   유기 용제에 따라서는 물과 반응하여 염화수소 등의 부식성 가스를 발생시켜 MOS FET 릴레이의 열화를 일으킬 우려가 있습니다.
2. 물 세정 시에는 특히 나트륨, 염소 등의 반응성 이온의 잔류가 없도록 하십시오.
3. 세척 중 또는 세척액이 MOS FET 릴레이에 부착된 상태에서 브러시나 손으로 표시 마크면을 문지르지 마십시오. 표시 마크가 사라질 우려가 있습니다.
4. 침지 세척, 샤워 세척 및 증기 세척은 용매의 화학적 작용으로 세척을 수행합니다. 용제 중이나 스팀 중의 침지 시간은, MOS FET 릴레이에의 영향을 고려해, 액온 50℃ 이하에서 1분 이내에 처리해 주세요.
5. 초음파에 의한 세정을 실시하는 경우는 단시간에 실시해 주세요. 장시간의 세정은 몰드 수지와 프레임재와의 밀착성을 저하시킬 우려가 있습니다.
   또한 권장하는 기본 조건은 다음과 같습니다. (초음파 세정의 권장 조건)
   주파수: 27~29kHz 초음파
   출력: 300W 이하 (0.25W/cm2 이하) 세정 시간: 30초 이하 또, 초음파 진동자와 프린트 기판이나 MOS FET 릴레이가 직접 접촉하지 않도록 용제 중에 부유한 상태 ^에서 실시해
   주십시오
   .

● 납땜 실장

납땜 실장은 아래와 같은 권장 조건 내에서 실시해, 가능한 한 본체의 온도 상승을 막아 주세요.

<플로우 솔더>

프린트 기판용 단자형
(플로우조의 설정 온도)

주. 사용시에는 고객의 실제 사용 조건에서 확인하는 것이 좋습니다.

서페이스 마운트 단자형

서페이스 마운트 단자형의 플로우 솔더 실장을 검토의 경우는 문의해 주십시오.

<리플로우 땜납>

서페이스 마운트 단자형
(패키지의 표면 온도)

(무연 솔더) SnAgCu 추천 프로파일

주1. 사용시에는 고객의 실제 사용조건에서의 확인을 권장합니다.
주2. SSOP, USOP, VSON, S-VSON(L), WSON품은, (TR) 첨부로 주문시에는 테이핑 포장 사양으로 방습 팩에 넣어 납품합니다만, (TR)없을 때에는 테이핑 컷품을 무방습 포장으로 납입합니다. 테이핑 컷품을 실장할 때는 손질 땜납을 실시해 주세요. 테이핑 컷품은 무방습 포장을 위해 흡습한 상태가 되어 있으므로, 리플로우 땜납을 실시하면, 열 스트레스에 의해 패키지 균열 등의 문제가 발생할 우려가 있습니다.

<손질 땜납>※1회만

350℃ 3초 이내 또는 260℃ 10초 이내

※P-SON, VSON, S-VSON(L), WSON 시리즈 제품의 손 납땜 조건은 260℃ 10초 이내입니다.

● 보관 조건

1. 물에 젖을 가능성이 없는 장소나 직사광선이 닿지 않는 곳에 보관해 주십시오.
2. 운반이나 보관시 포장 상자에주의 표시를 따르십시오.
3. 보관 장소는 상온, 상습, 상압에서 보관하십시오.
   또한 온도와 습도는 5~35℃, 상대습도 45~75%를 기준으로 해 주십시오.
4. 황화수소 가스 등의 부식성 가스 및 염풍이 제품에 해당하지 않는 곳이나 육안으로 확인할 수 있는 먼지가 없는 곳에 보관해 주십시오.
5. 온도 변화가 적은 곳에 보관하십시오. 보관시의 급격한 온도 변화는 결로가 생겨 리드의 산화, 부식 등이 발생하여 납땜 젖음성이 나빠집니다.
6. MOS FET 릴레이를 포장에서 꺼낸 후 다시 보관하는 경우 정전기 방지 처리된 보관 용기를 사용하십시오.
7. 어느 경우에도 제품에 변형·변질을 일으키는 힘을 가하지 않도록 하십시오.
8. 당사 상품의 보증 기간은, 구입 후 또는 지정의 장소에 납입 후 1년으로 하겠습니다.
   통상의 보관 형태로 1년 정도 이상이 경과했을 때에는, 사용전에 납땜성의 확인을 추천합니다.

●사용 조건

<온도>

MOS FET 릴레이의 각 전기적 특성은 사용 온도에 의해 제한됩니다.
동작 범위 밖의 온도에서 사용하면 전기적 특성이 실현되지 않을 뿐만 아니라 MOS FET 릴레이의 열화를 가속화합니다. 이 때문에, 미리 온도 특성을 파악하고 *디레이팅을 고려한 설계를 실시해 주십시오. (*디레이팅: 스트레스의 저감)
또한, 사용온도 조건은 디레이팅을 고려하여 권장 동작온도를 하나의 기준으로 해 주십시오.

<습도>

고습도 환경에서의 장기 사용은 내부로의 수분 침입에 의해 내부 칩의 열화나 고장을 일으킬 수 있습니다. 신호 소스 임피던스가 높은 시스템에서는 이러한 보드 누설과 MOS FET 릴레이의 리드 간 누설이 오작동을 일으킬 수 있습니다. 이 경우 MOS FET 릴레이 표면의 방습 처리를 고려하십시오.
한편, 저습도에서는 정전기의 방전에 의한 손상이 문제가 되므로, 특히 방습 처리를 하지 않는 한 상대습도 40~60%의 습도 범위에서 사용해 주십시오.

<폐기>

제품에는 비소계 화합물 함유 LED가 사용되고 있습니다.
그 분말이나 증기 등은 인체에 유해하므로 파괴, 절단, 분쇄나 화학적인 분해는 하지 마십시오.

●MSL3품의 취급상의 유의점

표면 실장 부품은 흡습한 상태에서 실장 시 열 스트레스를 받으면 패키지 균열이 발생할 가능성이 있으므로 다음 조건에서 사용해 주십시오.

1. 방습봉투(미개봉) 상태에서는 온도 5~30℃, 상대습도 90% 이하의 환경에서 보관하여 24개월 또는 12개월 이내에서 사용해 주십시오. ※현물의 방습봉투에 기재의 유효 기한을 확인해 주세요
2. 개봉 후에는 온도: 5~30℃, 상대습도 70% 이하의 환경에서 168h 이내에 실장해 주십시오.
3. 개봉 후 습도 표시기의 30% 검습부가 분홍색이 되었거나 만료된 경우에는 테이핑 그릴 상태에서 베이킹 처리를 하십시오. 베이킹 실시 후는 72h 이내에 사용해 주십시오. 덧붙여 베이킹은 1회까지로 해 주세요.
   　베이킹 조건：온도 60±5℃, 시간 64～72h
   　유효 기한：씰 일자(라벨 씰에 기재)보다 24개월 또는 12개월
   　　　　　　　　　※현물의 방습봉투에 기재된 유효 기한을 확인해 주세요
4. 반복 베이킹을 실시하면, 테이핑의 박리 강도가 변화해, 실장시에 장해를 일으킬 가능성이 있습니다. 또한, 배습 처리 실장시에는 정전기에 대한 디바이스의 파괴 방지를 실시해 주십시오.
5. 라미네이트 포장재가 찢어지면 기밀성이 손상되므로 던지거나 떨어뜨리지 마십시오.
6. 테이핑 컷품으로 구입의 SSOP, USOP, P-SON, VSON, S-VSON(L), WSON품은 무방습 포장을 위해, 실장시는 손질 땜납을 실시해 주세요. ※MSL 적응외입니다

●스틱 포장에 대해
<스틱 형상 및 치수>

●테이핑 포장에 대해서

<테이프 형상 및 치수>

<릴 형상 및 치수>

<테이핑 방향>

캐리어 테이프 오목 각 구멍 내의 제품의 방향은 다음과 같습니다.

(1) SOP4 핀 타입

(2) SOP6/8, DIP4/6/8 핀 타입

(3) SSOP4, USOP4, P-SON4, VSON4, S-VSON(L)4, WSON4 핀 타입

<1 리일 당 패킹 수>